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院士出生地
吴汉明院士，1952年6月出生于江苏常州武进。
武进现为江苏省常州市所辖的一个行政区，它地处江苏省南部，常州市东部，内抱常州市区，东与无锡市滨湖区、江阴市接壤，南与无锡市宜兴市毗连，西与常州市金坛区、镇江市丹阳市相邻。
武进历史悠久，5000多年前就有人类定居在这里，新石器时代形成原始村落。
春秋时期，这里称延陵邑，是吴国季札封地，淹城是保存完整的西周至春秋早期地面城池遗址。
秦置延陵县，汉改称毗陵县、毗坛县。
三国吴嘉禾三年（234年），孙权取“以武为进”之意，将丹徒改名武进。晋太康二年（281年）置武进县。
南朝宋、齐、梁、陈时，武进县隶属多有变化。
隋开皇九年（589年），兰陵县并入曲阿县。
唐武德三年复置武进县。
宋承唐制，元至元十四年，常州升为路，武进属常州路。
明泰昌元年，常州府改称尝州府，清顺治二年复为常州府。
雍正四年（1726年），武进县分东部置阳湖县。
宣统三年（1911年），阳湖县并入武进县。
1949年4月23日，武进解放，县城析出建立常州市。
1995年撤县设市，2002年撤市设区，2015年撤销常州市武进区和戚墅堰区，设立新的武进区。
武进人文底蕴深厚，它是吴文化发源地之一，拥有国家级非物质文化遗产常州象牙浅刻，省级非物质文化遗产调犟牛，还有国家级文物保护单位春秋淹城遗址与京杭大运河。
武进的建筑风格融合了江南水乡的特色，多为白墙黑瓦、飞檐翘角的传统民居，如杨桥古镇等，古建筑与河流、桥梁相互映衬，形成了独特的水乡风貌。
武进有丰富的民俗文化活动，如淹城民俗文化节等，期间会举行舞龙舞狮、踩高跷、荡湖船等传统民俗表演，还有庙会、灯会等活动，热闹非凡。
武进名人辈出，萧道成，南朝齐国的开国皇帝，武进人。
他出身于兰陵萧氏，在刘宋末年掌握朝政大权，后废宋顺帝，建立南齐，在位期间推行了一系列改革措施，对南朝政治、经济和文化的发展产生了重要影响。
盛宣怀，清末官员、洋务派代表人物，出生于武进。
他参与或主持创办了轮船招商局、中国电报总局、北洋大学堂等近代新兴事业，对中国近代化进程起到了推动作用。
出生地解码
江苏常州武进对吴汉明院士的成长和成就有着多方面的深远影响。
武进是吴文化的发源地之一，有着5000多年的历史，先后诞生了19位帝王、9名状元和1546名进士，有着深厚的文化底蕴和浓厚的学术氛围。这种文化传承和学术传统，可能在潜移默化中激发了吴汉明对知识的渴望和对学术成就的追求，激励着他在学术道路上不断探索和进取。
武进区重视教育，拥有较为优质的教育资源。
在吴汉明的成长过程中，当地的学校和教育机构，为他提供了良好的学习环境和教育条件，帮助他打下了坚实的知识基础。
同时，丰富的教育资源也可能让他有机会接触到前沿的学术信息和优秀的教师，从而得到更好的指导和培养。
武进区拥有以电子等为主导的工业体系。
这样的产业环境使他从小就有更多机会接触到电子相关产业，对集成电路等领域产生兴趣。
在他后来的研究工作中，当地的产业需求也可能为他的科研提供了方向和动力，促使他致力于解决芯片制造等方面的技术难题，为当地乃至国家的产业发展做出贡献。
常州人通常具有勤奋、务实、创新的性格特点。
在这样的地域文化环境中成长，吴汉明可能深受其影响，养成了脚踏实地、刻苦钻研的工作作风，以及勇于创新、敢于突破的精神品质，这些性格特点对他在科研领域取得成就起到了重要作用。
院士求学之路
1976年，吴汉明从中国科学技术大学毕业。
1978年，吴汉明成为“文革”后第一批硕士研究生。
1987年，吴汉明从中国科学院力学研究所毕业，获得等离子体和磁流体力学博士学位。
博士毕业后，吴汉明先到美国得克萨斯大学奥斯汀分校和加利福尼亚大学伯克利分校进行博士后研究，同时在加州诺发公司和英特尔公司任高级研发工程师。
求学之路解码
中国科学技术大学以理工科见长，注重基础学科教育。
吴汉明在此系统学习数学、物理等基础课程，培养了严密的逻辑思维与科学方法论。
这为他日后涉足集成电路制造这一高度依赖物理原理（如等离子体物理、热力学）的领域，提供了底层知识支撑。
例如：芯片制造中的刻蚀、沉积工艺，本质上是等离子体与材料相互作用的物理过程，扎实的数理基础使其能快速理解技术底层逻辑。
吴汉明在中科院力学所攻读博士研究生，他聚焦等离子体与磁流体力学。
他选择等离子体物理作为研究方向，看似与芯片制造关联较远，实则为其打开了跨学科视角。
等离子体技术是半导体制造中刻蚀、薄膜沉积等关键工艺的核心（如干法刻蚀需利用等离子体电离气体实现材料刻蚀）。
这一阶段的研究，让他提前掌握了芯片制造核心环节的底层技术原理，成为后来解决工程问题的“学术武器”。
