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几家的管式炉，最高温度只能达到900到1000度……1100度？
还有氮化硼涂层……那是说涂就涂的么？
问题是，听台上那货的语气，好像应该是随手可得的，要提出来没有……也太卡颜面啦。
年长者为了面子不吱声，提问的年轻人同样为了面子不吱声，坐那默默的吞苦水……
同时在心里呐喊：英雄，饶命呀~
空气短暂的安静后，一位工研院的年轻研究员率先醒过神，高举起右臂。
待曲卓抬手示意后，起身：“省内g 线光刻胶依赖进口。我们试着在实验室自行合成时，光敏剂和树脂总不兼容。请问，有解决办法吗？”
“邻醌二叠氮百分之八上下与酚醛树脂1比9混合，平衡光敏性和膜厚稳定性。使用乙二醇单甲醚醋酸酯或甲基异丁基酮做主溶剂，控制胶液粘度在50到80厘泊，目标支持分辨率1.5微米。我等你出成果。”
曲卓话音落下时，已经有人翻开面前的笔记本开始记录了……
翻开笔记本，甭管有用没有都要做记录……这是事先有要求的。
但某人节奏太快，以至于大家给忘了。
这会儿想起来记，是真的需要记……
“讲。”曲卓示意举手的……瞅着还算年轻，但应该是已婚的女人。
“我的问题是，1微米工艺的VLSI做铝布线，高温状态铝、硅互互相扩散，导致PN结漏电，实验室层面有没有……比较简单的方法可以阻挡？”
“蒸镀五十纳米的钛层，600度形成高阻C49相，800度转化为低阻 C54 相形成TiSi?阻挡层，可以阻止铝扩散。布线改用含百分之一硅的铝合金，电阻率能降到每厘米2.8-3.0微欧。
如果你努力一些，攻破电子束蒸发和快速热退火，可以做到2.5微欧。不过，别想着申请专利。因为，我已经注册过了。”
“……”
好多人在下意识吞口水。还有人想问：“英雄，你是不是太高看我们啦？”
依旧是那句话：决不能坠了自家的面子……硬憋！
“老师…我们课题组搭的16K DRAM，SiO?介质层漏电，刷新周期不足1.5毫秒，该怎样优化介质层？”
“用等离子体增强化学气相沉积做 SiO?，呃……你们可以用低压化学气相沉积或热氧化工艺，厚度十二纳米，击穿场强能提到每厘米一千万伏特，刷新周期应该能够延长到2毫秒……回头我送你们一套PECVD。”
这话一出口，台下不少人险些热泪盈眶。
不是……或者说不止是因为能白得一套必然先进到根本没有商业化生产的实验室设备。
更想高声呐喊：“英雄，你终于意识到了么？在你认知里就摆在手边的东西，我们这里根本就没有条件呀！”
与其他人不同，后排坐着的施敏在亢奋。
他为什么过得那么憋屈，还闷不吭声的留在贝尔实验室。
一方面是图贝尔的“牌子”，说出去有面子，能衬托他的档次，代表他的实力。
一方面是图实验室内先进的仪器和设备。
搞半导体器件，离不开硬件支持。他早就有心回弯省了，但弯省几个实验室的条件，根本就不足以支撑他的研究。
现在，就是此刻，他通过刚才台上“准老板”言语间透露出的信息，已经非常笃定了，答应的最顶尖的实验室，一定是最顶尖的。
大概率比贝尔实验室的条件要强的多。
实在太令人期待了……
